2.5D/3D 封装的核心技 TSV 工艺
2.5D/3D 封装的核心技 TSV 工艺TSV 是 2.5D/3D 封装的核心技术,被认为是目前延续半导体器件摩尔定律最有效的封装方法, TSV 工艺能够实现,主要包括通孔刻蚀、通孔薄膜淀积 (SiO2 钝化层、阻挡层、种子层沉积 )、通孔填充、化学机械抛光 (CMP)等 关键技术, 其工艺流程依次为:首先使用光刻胶对待刻蚀区域进行标记,然后使用深反应离子刻蚀( DRIE)法在硅片的一面刻蚀出盲孔;依次使用化学沉积形成二氧化硅( SiO2)绝缘层、使用物理气相沉积形成阻挡层、种子层,避免 TSVs 与衬底之间形成通路;运用化学电镀在盲孔中填充金属导体,其导体种类通常为多晶硅、
钨、铜等;最后通过化学机械抛光工艺( CMP)和背面磨削法对硅片(盲孔中电镀金属柱)进行减薄露出硅通孔的另一端完成制作。
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