2.5D/3D 封装的核心技 TSV 工艺

mmyan · 发表于 2025-9-29 11:12:02

2.5D/3D 封装的核心技 TSV 工艺
TSV 是 2.5D/3D 封装的核心技术，被认为是目前延续半导体器件摩尔定律最有效的封装方法， TSV 工艺能够实现，主要包括通孔刻蚀、通孔薄膜淀积 (SiO2 钝化层、阻挡层、种子层沉积 )、通孔填充、化学机械抛光 (CMP)等关键技术，其工艺流程依次为：首先使用光刻胶对待刻蚀区域进行标记，然后使用深反应离子刻蚀（ DRIE）法在硅片的一面刻蚀出盲孔；依次使用化学沉积形成二氧化硅（ SiO2）绝缘层、使用物理气相沉积形成阻挡层、种子层，避免 TSVs 与衬底之间形成通路；运用化学电镀在盲孔中填充金属导体，其导体种类通常为多晶硅、
钨、铜等；最后通过化学机械抛光工艺（ CMP）和背面磨削法对硅片（盲孔中电镀金属柱）进行减薄露出硅通孔的另一端完成制作。

billye · 发表于 2025-9-29 12:25:26

谢谢分享

njkiller · 发表于 2025-9-29 13:11:04

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欧贝贝 · 发表于 2025-9-29 13:59:38

感谢分享

LSP11 · 发表于 2025-9-29 14:18:20

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yesmyboy1 · 发表于 2025-9-29 16:06:47

谢谢分享

chlyan · 发表于 2025-9-29 17:37:23

lemonkey · 发表于 2025-9-29 21:17:21

asdqwe123 · 发表于 2025-9-29 22:35:30

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golfgti · 发表于 2025-9-30 07:34:04

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