| 序号 | 标准编号 | 标准名称 | 标准主要内容 | 代替标准 | 采标情况 |
| 1. | SJ/T 11807-2022 | 锂离子电池和电池组充放电测试设备规范 | 本规范规定了锂离子电池和电池组充放电测试设备的术语和定义、性能要求、安全性等内容。其他类型电池用的充放电测试设备可以参考使用。不适用于无线式充放电功能的产品。 | | |
| 2. | SJ/T 11808-2022 | 电动工具用锂离子电池和电池组安全技术规范 | 该文件规定了电动工具用锂离子电池和电池组的术语和定义、试验条件、安全要求及测试方法。 |
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| 3. | SJ/T 11809-2022 | 电动工具用锂离子电池和电池组规范 | 该文件规定了电动工具用锂离子电池和电池组(系统)的术语和定义、电性能、安全、标识、质量评定、包装和运输。 |
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| 4. | SJ/T 11810-2022 | 电动轮椅用锂离子电池和电池组安全技术规范 | 该文件规定了电动轮椅用锂离子电池和电池组的安全要求，描述了相应的试验方法。该文件适用于电动轮椅用锂离子电池和电池组，属于该文件范围内的电动轮椅包括室内或室外使用的电动轮椅、载人上下楼梯的电动轮椅、助力型轮椅以及其他具有类似用途的载人工具。
室内电动载人工具/箱包式电动车等也参考适用。 |
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| 5. | SJ/T 11811-2022 | 电动轮椅用锂离子电池和电池组 通用规范 | 该文件规定了电动轮椅用锂离子电池和电池组的术语和定义、要求、试验方法、质量评定及标识、包装、运输和储存。 |
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| 6. | SJ/T 11812.1-2022 | 分布式储能用锂离子电池和电池组性能规范 第1部分：家庭储能 | 该文件规定了家庭储能用锂离子电池和电池组的术语和定义、要求、试验方法、质量评定及标识、包装、运输和储存。 |
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| 7. | SJ/T 11812.2-2022 | 分布式储能用锂离子电池和电池组性能规范 第2部分：道路交通与景观照明设施 | 该文件规定了道路交通与景观照明设施用锂离子电池和电池组的性能规范。 |
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| 8. | SJ/T 11813-2022 | 童车用锂离子电池和电池组 安全技术规范 | 该文件规定了电动童车用锂离子电池和电池组的安全要求。 |
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| 9. | SJ/T 11814-2022 | 童车用锂离子电池和电池组 通用规范 | 该文件规定了电动童车用锂离子电池和电池组的术语和定义、要求、试验方法、质量评定及标识、包装、运输和储存。 |
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| 10. | SJ/T 11815-2022 | 玩具用锂离子电池和电池组 安全技术规范 | 该文件规定了玩具用锂离子电池及电池组的安全要求，主要包括玩具用锂离子电池和电池组的电安全试验、环境安全试验、多级串联电池组单级电压保护试验等。 |
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| 11. | SJ/T 11816-2022 | 玩具用锂离子电池和电池组 通用规范 | 该文件规定了玩具用锂离子电池及电池组的性能要求，主要包括玩具用锂离子电池和电池组的术语定义、外观及尺寸要求、电性能、试验方法、标志、包装、运输和储存等。 |
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| 12. | SJ/T 11183-2022 | 旋转式涂覆设备通用规范 | 本文件规定了旋转式涂覆设备的术语和定义、要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存。本文件适用于泛半导体微纳加工光刻工艺制程中的旋转式涂覆设备。 | SJ/T 11183-1998 |
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| 13. | SJ/T 11817-2022 | 半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范 | 本标准制定的目的在于规范灯丝灯用发光二极管的基本额定值、特性、检测方法等，为灯丝灯用发光二极管的测试、评价等提供依据。 |
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| 14. | SJ/T 11818.1-2022 | 半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法 | 本标准规定了对半导体紫外发射二极管辐射度参数的一般要求，包括测试条件、仪器设备、测试步骤。
本部分适用于峰值波长200 nm～400 nm的器件，峰值波长400 nm～420 nm的器件可参照本部分执行。 |
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| 15. | SJ/T 11818.2-2022 | 半导体紫外发射二极管 第2部分：芯片规范 | 本标准主要内容包括半导体紫外发射二极管芯片的技术要求(芯片极限值、光电特性等)、试验条件、检验要求、质量评定程序、标志等，且还规定了芯片筛选、逐批和周期质量一致性检验要求，以及A、B、C组的划分及试验组成等内容。 |
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| 16. | SJ/T 11818.3-2022 | 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范 | 本标准规定了半导体紫外发射二极管器件的术语和定义、分类、技术要求、检验方法、检验规则，以及标志、包装、运输和贮存要求。 |
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| 17. | SJ/T 10691-2022 | 变频变压电源通用规范 | 本标准规定了输出电压有效值在1kV及以下，输出频率在240Hz及以下的变频变压电源的要求，描述了对应的证实方法。适用于电子电气设备进行电源频率和电压试验用的输出为单相和三相的变频变压电源。 | SJ/T 10691-1996 |
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| 18. | SJ/T 11819-2022 | 电子画屏通用规范 | 本文件规定了电子画屏(以下简称产品)的术语和定义、要求、试验要求、质量评定程序、标志、包装、运输、贮存。
本文件适用于采用液晶显示技术且用于展示数字化艺术图像作品的显示设备，其他技术类型产品可参考使用。 |
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| 19. | SJ/T 11820-2022 | 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法 | 本标准规定了半导体分立器件直流参数测试设备的术语和定义、技术要求、测量方法。适用于直流电压输出和直流电压测量范围不超过0.01V～5000V，直流电流输出和直流电流测量范围不超过1nA～10A，脉冲电流输出和脉冲电流测量范围不超过10A～1200A的分立器件测试设备。 |
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| 20. | SJ/T 11821-2022 | 数字功率分析仪通用规范 | 本标准规定了数字功率分析仪的通用技术要求、试验方法、质量检验规定和包装运输等。 |
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| 21. | SJ/T 11822-2022 | 贴片单体导电硅胶弹性按键详细规范 | 本文件规定了贴片单体导电硅胶弹性按键的术语和定义、分类与型号命名、使用条件、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。 |
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| 22. | SJ/T 11823-2022 | 集成电路塑封油压机 | 本文件规定了集成电路塑封油压机的术语和定义、分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。适用于半导体集成电路、分立器件塑料封装用的油压机。 |
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| 23. | SJ/T 11824-2022 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 | 本标准规定了金属-氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率这两个参数的测试方法。 |
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| 24. | SJ/T 10694-2022 | 电子产品制造与应用系统防静电测试方法 | 本文件规定了电子工业所用防静电装备与产品的防静电性能测试方法。
本文件适用于电子产品制造与应用系统中防静电工作区内的防静电接地系统、人员接地、工作台、座椅、存放柜、物流车、离子化静电消除器、工作服，包装材料及储存或周转运输包装等各类防静电防护装备与用品的防静电检验与测试。其它行业的相关测试可参照使用。
本文件规定的测试方法不适用于易燃、易爆环境中防静电系统、产品检验。 | SJ/T 10694-2006 |
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| 25. | SJ/T 11825-2022 | 防静电工作台、座椅通用技术规范 | 本文件规定了防静电工作台、座椅的结构和组成、技术要求、安装要求及标识、包装、运输和储存等要求。描述了对应的证实方法。 |
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| 26. | SJ/T 11826-2022 | 管道液体静电电荷密度在线检测方法 | 本文件规定了管道液体静电电荷密度在线检测的方法，包括检测原理、检测条件、检测仪器、检测步骤、数据处理、注意事项和记录。 |
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| 27. | SJ/T 11827-2022 | 管道在线液体静电消除器通用规范 | 本文件规定了管道在线液体静电消除器的术语和定义、一般要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。 |
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| 28. | SJ/T 11457.2-2022 | 波导型介电谐振器第2部分：应用于振荡器和滤波器的使用指南 | 本标准为应用于振荡器和滤波器的波导型介电谐振器的使用指南。 |
| MOD IEC 61338-2:2004 |
| 29. | SJ/T 11828.1-2022 | 光伏组件自然曝露试验及年衰减率评价 第1部分:湿热大气环境 | 本文件规定了光伏组件湿热大气环境自然曝露试验的术语和定义、曝露试验场及试验装置、试样、试验步骤、检查维护、试验结果、年衰减率性能评价以及测试报告的要求。
本文件适用于地面用光伏组件在湿热大气环境下的户外自然曝露试验，用于评价光伏组件在该环境下的电学性能衰减特性。本文件适用于同一曝露试验场内不同光伏组件产品性能的对比。 |
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| 30. | SJ/T 11828.2-2022 | 光伏组件自然曝露试验及年衰减率评价 第2部分:干热砂尘大气环境 | 本文件规定了光伏组件干热砂尘大气环境自然曝露试验的术语和定义、曝露试验场及试验装置、试样、试验步骤、检查维护、试验结果、年衰减率性能评价以及测试报告的要求。
本文件适用于地面用光伏组件在干热砂尘大气环境下的户外自然曝露试验，用于评价光伏组件在该环境下的电学性能衰减特性。本文件适用于同一曝露试验场内不同光伏组件产品性能的对比。
本文件适用于地面用晶体硅光伏组件和地面用薄膜光伏组件(碲化镉，非晶硅，铜铟镓硒等)。 |
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| 31. | SJ/T 11829.1-2022 | 晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备 第1部分：管式PECVD设备 | 本文件规定了晶体硅光伏电池用管式等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备的术语和定义、型号命名、工作环境、要求、检验方法、检验规则以及包装、标志、搬运和运输、贮存等。适用于晶体硅光伏电池用管式PECVD设备，产品主要用于在晶体硅光伏电池减反射膜、钝化膜的淀积与氢钝化。 |
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| 32. | SJ/T 11829.2-2022 | 晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备 第2部分：板式PECVD设备 | 本文件规定了晶体硅光伏电池用板式等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备的术语和定义、型号命名、工作环境、要求、检验方法、检验规则以及包装、标志、搬运和运输、贮存等。适用于晶体硅光伏电池用板式PECVD设备。产品主要用于沉积多种薄膜材料，例如，非晶硅(a-Si:H)、微晶硅(µc-Si:H)、二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiNx)薄膜等本征薄膜以及各种掺杂薄膜材料等，薄膜光伏电池、柔性光伏电池用PECVD设备也可参照使用。 |
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| 33. | SJ/T 11830-2022 | 晶体硅光伏电池智能制造 数据采集指南 | 本文件规定了晶体硅光伏电池智能制造数据采集指南的术语、定义和缩略语、一般要求、生产设备接口/协议要求、数据采集系统要求、数据采集详细要求等。适用于晶体硅光伏电池智能制造车间的设计和建设。 |
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| 34. | SJ/T 11831-2022 | 车内用直流电源适配器技术规范 | 本文件规定了车内用直流电源适配器的机械特性、电气特性、安全特性、环境适应性等技术要求和检测方法。
本文件适用于由汽车点烟器接口供电，能够为电子设备提供电源的车内用直流电源适配器。对于其他类型的车内用直流电源适配器可参考使用。 |
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| 35. | SJ/T 11832.1-2022 | 薄化液晶显示盒第1部分：术语 | 本文件界定了薄化液晶显示盒的术语，包括物理概念、缺陷描述以及参数特性。适用于薄化液晶显示盒的制造、检验和交付。 |
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| 36. | SJ/T 11832.3-2022 | 薄化液晶显示盒第3部分：检测方法 | 描述了薄化液晶显示盒的厚度、表观缺陷、边缘缺陷、盒内缺陷的检测方法。 |
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| 37. | SJ/T 11833.4-2022 | 移动显示器件用玻璃盖板第4部分：机械试验方法 双轴弯曲强度(环对环) | 本文件描述了用于移动显示器件中电子平板显示器的玻璃盖板的机械性能试验方法，通过环对环产生的双轴弯曲测量可接收(样品)表面的断裂载荷。 |
| IDT IEC 61747-40-4:2015 |
| 38. | SJ/T 11833.5-2022 | 移动显示器件用玻璃盖板 第5部分：机械试验方法 刚性支撑受试件抗尖锐物体的动态撞击 | 本文件描述了用于移动显示器件中电子平板显示器的玻璃盖板的机械性能试验方法，通过落球冲击测量双轴弯曲抗冲击性能,其失效模式是由尖锐物体接触导致，是移动器件中几种现场失效模式之一。 |
| IDT IEC 61747-40-5:2018 |
| 39. | SJ/T 11834-2022 | 车用平视显示器光学性能测试方法 | 本文件描述了车用平视显示器光学性能的测试条件和测试方法。适用于车用前装、后装平视显示器，包括风挡型平视显示器、组合型平视显示器、增强现实平视显示器等类型产品。
本文件不适用于字段型平视显示器产品。 |
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| 40. | SJ/T 11272-2022 | 车载彩色显示器通用规范 | 本标准规定了车载视听系统中的彩色液晶显示器的要求、试验方法、质量评定程序、标志、包装、运输、贮存等内容。本标准适用于车载视听系统中的彩色液晶显示器的设计、生产、检验，其他类型显示器可参考使用。 | SJ/T 11272-2002 |
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| 41. | SJ/T 11835-2022 | 客车用数字电视接收机技术规范 | 本文件规定了应用于客车上的数字电视接收机使用条件、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存等内容。
本文件适用于内部具有稳压电源、信号处理功能、应用于客车上的数字电视接收机。应用于轨道交通及其他车辆上的数字电视接收机可参考使用。 |
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| 42. | SJ/T 11836-2022 | 智能电视应用程序恶意行为测评 | 本标准规定了智能电视应用程序恶意行为检测技术要求，风险评定要求,测评业务流程要求和智能电视应用程序的二次签名与归档要求。
本标准适用于智能电视应用程序恶意行为测评，其他智能设备终端如机顶盒、投影仪的应用程序恶意行为测评可参照使用。 |
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| 43. | SJ/T 11837-2022 | 智能电视应用程序恶意行为分类 | 本标准规定了智能电视应用程序恶意行为定义与分类，界定了智能电视应用程序方面的术语和定义。适用于智能电视应用程序恶意行为的分类，其他智能终端如机顶盒、投影仪等的应用程序恶意行为分类也可参考使用。 |
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| 44. | SJ/T 11838-2022 | 水泥行业信息化和工业化融合评估规范 | 本文件规定了水泥行业两化融合评估的基本原则与框架、评估内容及具体要求，并提供了评估指标体系构建方法、评估指标体系框架、评估分析方法及综合水平判定规则。
本文件适用于为水泥行业科研院所、生产企业、行业组织、评估机构及相关信息化主管部门等开展水泥工业企业两化融合评估工作提供指导和参考依据。 |
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| 45. | SJ/T 11839.1-2022 | 离散型制造执行过程云化规范 第1部分：总则 | 本文件规定了离散型制造执行过程云化的术语和定义、基本原则、整体框架、基础条件、上云过程、云化管理、边云协同管理以及验证与评价。
本文件适用于离散型制造执行过程上云、云化管理等活动。 |
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| 序号 | 计划编号 | 标准名称 | 性质 | 标准主要内容 | 代替标准 | 采标情况 |
| 1. | 20162475-T-339 | 锂离子电池组安全设计指南 | 推荐 | 该文件提供了在设计锂离子电池组时涉及的与电池组安全特性相关的指导，从电池、保护电路、材料与部件、热设计、防火及安装等方面给出了提升产品安全特性的建议。 | | |
| 2. | 20173803-T-339 | 锂离子电池和电池组安全使用指南 | 推荐 | 该文件提供了锂离子电池和电池组使用过程中的安全指导和建议，给出了锂离子电池和电池组制造厂商向用户提供可能发生危险的相关信息。 | | |
| 3. | 20162478-T-339 | 电动道路交通工具推动用锂离子电池第1部分：性能试验 | 推荐 | 本标准规定了电动道路交通工具推动用(包括纯电动交通工具BEV和混合动力电动交通工具HEV)锂离子电池的性能和寿命试验，规定了获取电动道路交通工具推动用锂离子电池的容量、功率密度、能量密度、储存寿命和循环寿命等基本性能特性的试验方法。 | | IDT IEC 62660-1:2018 |
| 4. | 20162476-T-339 | 电动道路交通工具推动用锂离子电池第2部分：可靠性和滥用测试 | 推荐 | 本标准规定了电动道路交通工具推动用(包括纯电动交通工具BEV和混合动力电动交通工具HEV)锂离子电池和电池并联块的可靠性和滥用测试。 | | IDT IEC 62660-2:2018 |
| 5. | 20151491-T-339 | 半导体器件 微电子机械器件 第19部分：电子罗盘 | 推荐 | 本标准规定了电子罗盘的术语、定义、符号、性能特性、基本结构和测试方法等，适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘。其中电特性中规定了传感器部分的性能特性和电子罗盘的直流特性。测试方法中给出了灵敏度、线性度、零偏、频带宽度、交叉灵敏度、电流损耗等。 | | IDT IEC 62047-19:2013 |
| 6. | 20151492-T-339 | 半导体器件 微电子机械器件 第5部分：射频MEMS开关 | 推荐 | 本标准规定了射频MEMS开关的术语和定义、基本额定值和特性、参数测试方法及可靠性试验方法等。其中术语包括开关操作术语、开关结构术语、开关网络术语、可靠性术语和电气特性术语。特性参数和测试方法中给出了直流特性、射频特性、开关特性等要求。 | | MOD IEC 62047-5:2011 |
| 7. | 20151495-T-339 | 半导体器件 微电子机械器件 第7部分：用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器 | 推荐 | 本标准规定了用于射频控制和选择的体声波谐振器、滤波器和双工器的术语、定义、符号、性能特性和测试方法，用于评估和确定其性能。术语包括基本术语、体声波滤波器术语、体声波双工器术语、特性参数术语等。测试方法中给出了插入损耗、回波损耗、带宽、隔离度、纹波、驻波比等射频特性参数的测试要求。 | | IDT IEC 62047-7:2011 |
| 8. | 20184218-T-339 | 接触电流和保护导体电流的测量方法 | 推荐 | 本标准作为电子产品安全领域中的测试方法标准，是对GB/T 12113-2003《接触电流和保护导体电流的测量方法》(等同采用IEC60990:1999)进行的修订。此次修订的《接触电流和保护导体电流的测量方法》对接触电流的测量以及测量仪器、网络的校准都有了进一步的阐述。 | GB/T 12113-2003 | IDT IEC 60990:2016 |
| 9. | 20194112-T-339 | 射频连接器 第58部分：SBMA系列盲插射频同轴连接器分规范 | 推荐 | 本标准规定了SBMA系列盲插射频通用连接器的插合界面尺寸、0级标准试验连接器的具体尺寸以及性能要求。 | | IDT IEC 61196-58:2016 |
| 10. | 20120171-T-339 | 同轴通信电缆第1-111部分：电气试验方法相位稳定性试验 | 推荐 | GB/T 17737的本部分适用于同轴通信电缆。它规定了确定同轴通信电缆相位稳定性的试验方法。 | | IDT IEC 61196-1-111:2014 |
| 11. | 20192062-T-339 | 半导体集成电路 模拟数字(AD)转换器 | 推荐 | 本标准规定了模拟数字(AD)转换器的分类、技术要求、检验方法和检验规则等。 | | |
| 12. | 20192064-T-339 | 半导体集成电路 霍尔电路测试方法 | 推荐 | 本标准规定了半导体集成电路霍尔电路电特性测试方法的基本原理。功能、静态特性和动态特性的测试方法。 | | |
| 13. | 20192063-T-339 | 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH) | 推荐 | 本文件规定了快闪存储器(FLASH)的分类、技术要求、电测试方法和检验规则等。 | | |
| 14. | 20192068-T-339 | 半导体集成电路 驱动器测试方法 | 推荐 | 本标准规定了半导体集成电路 驱动器的电特性测试方法的基本原理和测试程序。 | | |
| 15. | 20190758-T-339 | 半导体集成电路片上系统(SoC) | 推荐 | 本文件规定了片上系统(SoC)的技术要求、电测试方法和检验规则等。 | | |
| 16. | 20194108-T-339 | 高压电源变换器模块测试方法 | 推荐 | 本文件规定了具有直流/直流(DC/DC)变换功能的高压输入电源变换器模块主要电参数测试方法.适用于各类电子设备中高压输入电源变换器模块的主要电参数测试，输入高压范围为500V以下。其他具有DC/DC变换功能的器件可参考使用。 | | |
| 17. | 20192065-T-339 | 混合集成电路 直流/直流(DC/DC)变换器 | 推荐 | 本文件规定了直流/直流(DC/DC)变换器的技术要求、检验方法和检验规则等。 | | |
| 18. | 20194107-T-339 | 集成电路 电磁抗扰度测量 第1部分：通用条件和定义 | 推荐 | 本标准提供了集成电路(IC)的传导和辐射骚扰电磁抗扰度测量的通用信息和定义。同时也给出了常规的试验条件、试验设备和布置、试验程序和试验报告内容的描述。 | | IDT IEC 62132-1
:2015 |
| 19. | 20192073-T-339 | 集成电路 电磁抗扰度测量 第8部分：辐射抗扰度测量 带状线法 | 推荐 | 本标准规定了集成电路(IC)对150kHz~3GHz频率范围内的射频(RF)辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。 | | IDT IEC 62132-8
:2012 |
| 20. | 20192072-T-339 | 集成电路 脉冲抗扰度测量 第3部分：非同步瞬态注入法 | 推荐 | 本标准规定了集成电路(IC)对标准传导电瞬态骚扰的抗扰度测量方法。与受试器件(DUT)运行不同步的骚扰通过耦合网络施加给IC引脚。不管电瞬态骚扰是否在IC规定的工作电压范围之内，本方法都能够得到传导电瞬态骚扰和其引起的IC性能降低之间的相互关系并对其进行分类。 | | IDT IEC 62215-3
:2013 |
| 21. | 20192059-T-339 | 微波半导体集成电路 放大器 | 推荐 | 本标准规定了微波半导体集成电路 放大器的术语、分类、技术要求、检验方法和检验规则等。 | | |
| 22. | 20192060-T-339 | 微波半导体集成电路 混频器 | 推荐 | 本标准规定了微波半导体集成电路 混频器的术语、分类、技术要求、检验方法和检验规则等。 | | |
| 23. | 20201538-T-339 | 半导体器件 第16-5部分：微波集成电路 振荡器 | 推荐 | 本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。 | | IDT IEC 60747-16-5:2020 |
| 24. | 20193132-T-339 | 半导体器件 集成电路 第20 部分：膜集成电路和混合膜集成电路总规范 第一篇：内部目检要求 | 推荐 | 本文件的目的是为了检查膜集成电路和混合膜集成电路内部的材料、结构和制造工艺。通常在封帽或包封前进行该项检验，从而找出并剔除带有内部缺陷的器件。这种缺陷会导致器件在正常应用中失效。其它的验收准则应与购买商或供应商商定。 | | IDT IEC 60748-20-1:1994 |
| 25. | 20193133-T-339 | 半导体器件 第16-10部分：单片微波集成电路技术批准程序(TAS) | 推荐 | 规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其它要求。 | | IDT IEC 60747-16-10:2004 |
| 26. | 20194110-T-339 | 半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器 | 推荐 | 规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。 | | IDT IEC 60747-16-2:2008 |
| 27. | 20184235-T-339 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命 | 推荐 | 规定了随时间的推移，偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。 | | IDT IEC 60749-23:2011 |
| 28. | 20184231-T-339 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电(ESD)敏感度测试 人体模型(HBM) | 推荐 | 依据元器件和微电路对规定的人体模型(HBM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。 | | IDT IEC 60749-26:2018 |
| 29. | 20184234-T-339 | 半导体器件 机械和气候试验方法第27部分：静电放电(ESD)敏感度测试 机器模型(MM) | 推荐 | 依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度，建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。 | | IDT IEC 60749-27:2012 |
| 30. | 20184232-T-339 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分：塑封器件的易燃性(外部引起的) | 推荐 | 本文件的目的是确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本文件使用针焰模拟安装器件的设备因意外条件而引起的小火焰。 | | IDT IEC 60749-32:2010 |
| 31. | 20182268-T-339 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第1部分：总则 | 推荐 | 规定了长期贮存的相关术语、定义和原理。 | | IDT IEC 62435-1:2017 |
| 32. | 20201544-T-339 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第42部分：温湿度贮存 | 推荐 | 规定了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法。 | | IDT IEC 60749-42:2014 |
| 33. | 20180209-T-339 | 半导体器件 第5-6部分：光电子器件发光二极管 | 推荐 | 本文件规定了一般工业应用的发光二极管(LED)的术语、基本额定值和特性、测试方法和质量评定，涉及信号器、控制器、传感器等。本文件不包括照明用LED。 | | IDT IEC 60747-5-6:2016 |
| 34. | 20192069-T-339 | 静电学 第2-1部分：试验方法 材料和产品静电荷消散能力 | 推荐 | 本文件规定了测量绝缘和静电耗散材料及产品的静电荷消散能力的试验方法。
本文件包含试验方法概述和特定用品的详细试验程序。 | | IDT IEC 61340-2-1:2015 |
| 35. | 20192070-T-339 | 静电学 第4-8部分：特定应用中的标准试验方法 静电放电屏蔽袋 | 推荐 | 本文件根据IEC 61340-5-3的要求给出了评估静电放电屏蔽袋性能的试验方法，试验装置的设定电压为直流1000V。本试验方法同样适用于除屏蔽袋以外的其他柔性包装。 | | IDT IEC 61340-4-8:2014 |
| 36. | 20184219-T-339 | 静电学 第5-1部分：电子器件的静电防护 通用要求 | 推荐 | 本文件规定了ESD控制程序的要求，适用于对静电敏感度不低于人体模型(HBM) 100V、带电器件模型(CDM )200V和孤立导体35V的电气、电子元件、组件和设备进行的制造、加工、组装、安装、包装、标识、服务、测试、检验、运输以及其它生产活动。处理具有更低静电敏感电压阈值的静电放电敏感产品时，可根据需要增加控制要素或调整限值，仍可视为符合本文件的要求。 | | IDT IEC 61340-5-:2016 |
| 37. | 20182274-T-339 | 半导体集成电路 视频编解码电路测试方法 | 推荐 | 本标准规定了半导体集成电路 视频编解码(video encoder and decoder)电路中的模拟视频接口类电路电特性测试方法的基本原理。 | | |
| 38. | 20192061-T-339 | 半导体集成电路 数字模拟(DA)转换器 | 推荐 | 本标准规定了数字模拟(DA)转换器的分类、技术要求、检验方法和检验规则等。 | | |
| 39. | 20182276-T-339 | 半导体集成电路 直接数字频率合成器测试方法 | 推荐 | 本标准规定了半导体集成电路直接数字频率合成器的电特性测试方法的基本原理。 | | |
| 40. | 20182283-T-339 | 半导体器件的机械标准化 第6-4部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 焊球阵列封装(BGA)的尺寸测量方法 | 推荐 | 本文件规定了焊球阵列(BGA)封装尺寸的测量方法。 | | IDT IEC 60191-6-4:2003 |
| 41. | 20182284-T-339 | 集成电路TSV三维封装可靠性试验方法 | 推荐 | 本标准了TSV三维封装堆叠芯片的可靠性试验方法。 | | |
| 42. | 20182273-T-339 | 三维集成电路 第1部分： 术语和定义 | 推荐 | 本标准规定了基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的术语和定义。 | | MOD IEC 63011-1:2018 |
| 43. | 20182272-T-339 | 三维集成电路 第2部分： 微间距叠层芯片的校准要求 | 推荐 | 本文件规定了在芯片键合过程中使用多个叠层集成电路之间初始校准和校准保持的要求。定义了校准标记和其操作步骤。 | | IDT IEC 63011-2:12018 |
| 44. | 20182275-T-339 | 微波电路 电调衰减器测试方法 | 推荐 | 本标准规定了微波电路类的电调衰减器主要电参数的测试方法。 | | |
| 45. | 20182263-T-339 | 元器件位移损伤试验方法 | 推荐 | 本文件规定了元器件位移损伤试验中，环境、辐射源、试验样品、电测试、辐照偏置、试验方案制定、试验程序、试验报告等方面的要求。 | | |
| 46. | 20151989-T-339 | 可信性分析技术佩特里网技术 | 推荐 | 本标准给出以可信性为目标的佩特里网的基础方法，支持系统建模、模型分析并提供分析结果。本方法面向可信性相关的所有特性的量度，如可靠性、可用性、生产可用性、维修性和安全性。适用于所有需要定性与定量可信性分析的行业。 | | IDT IEC 62551:2012 |
| 47. | 20151779-T-339 | 通信网络可信性工程 | 推荐 | 本标准给出了通信网络可信性工程指南，建立网络可信性的通用框架，提供网络可信性实现的过程，以及网络技术设计、性能评价、安全考虑和服务质量测量的标准和方法，以实现网络可信性目标。适用于网络设备开发者和供应商、网络集成者和网络服务功能供应商的规划、评估和实现网络可信性。 | | IDT IEC 61907:2009 |
| 48. | 20151990-T-339 | 通信网络可信性评估和保证方法 | 推荐 | 本标准从生命周期的角度，阐述通信网络可信性分析和评估的一套通用方法，提供用于网络拓扑分析、服务路径可信性评价及网络配置优化的网络可信性评估策略和整套方法，以得到网络可信性和服务可信性。本标准同时着重考虑网络可信性保证策略和整套方法，包括网络健康检查应用、网络停运控制、测试案例管理，以增强和保持网络服务运行中的可信性。适用于从事网络可信性保证和服务可信性评估的网络服务供应商、网络设计及开发人员、网络维护及操作人员。 | | IDT IEC 62673:2013 |
| 49. | 20181781-T-339 | 晶体盒总规范 | 推荐 | 本标准规定了石英晶体元件用晶体盒的术语和定义、技术要求、试验方法、包装、标志、储存和运输，适用于石英晶体元件用晶体盒，包括基座、壳罩、引线、焊脚等部分。 | GB/T 8553-1987 | |
| 50. | 20181788-T-339 | 射频声表面波(SAW)器件和声体波(BAW)器件的非线性测量指南 | 推荐 | 本标准规定了射频声表面波和体声波的非线性测量方法，为该类器件的测试验证和应用提供了共享技术平台。 | | IDT IEC 62761:2014 |
| 51. | 20181782-T-339 | 声表面波谐振器第1部分 总规范 | 推荐 | 本标准规定了声表面波谐振器的术语和定义，优先值和特性，质量评定程序，以及试验和测量程序。 | GB/T 22318.1-2008 | IDT IEC 61019-1:2004 |
| 52. | 20181783-T-339 | 声表面波谐振器第2部分 使用指南 | 推荐 | 本标准提出表面波谐振器的基本原理、声表面波谐振器的特性以及在振荡电路中的应用指南，还给出了制订产品规范时的参数一览表。 | GB/T 22318.2-2008 | IDT IEC 61019-2:2005 |
| 53. | 20181780-T-339 | 石英晶体元件参数的测量 第6部分:激励电平相关性(DLD)的测量 | 推荐 | 本标准规定了激励电平相关性的两种测量方法和一种基准测量方法。 | | IDT IEC 60444-6:2021 |
| 54. | 20181787-T-339 | 压电、介电和静电振荡器的测量技术 第2部分：相位抖动测量方法 | 推荐 | 本标准规定了石英晶体振荡器和声表面波振荡器的相位抖动测量方法，为该类器件的测试验证和应用提供了共享技术平台。 | | IDT IEC 62884-2:2017 |
| 55. | 20181785-T-339 | 有质量评定的声表面波(SAW)和体声波(BAW)双工器第2部分：使用指南 | 推荐 | 本标准提出声表面波和体声波双工器的基本原理、特性以及应用指南，还给出了制订产品规范时的参数一览表。 | | IDT IEC 62604-2:2017 |
| 56. | 20181789-T-339 | 有质量评定的声表面波(SAW)和体声波(BAW)双工器 第1部分：总规范 | 推荐 | 本标准规定了声表面波和体声波双工器的术语和定义，优先值和特性，质量评定程序，以及试验和测量程序。 | | IDT IEC 62604-1:2015 |
| 57. | 20193138-T-339 | 有质量评定的声表面波滤波器第1部分：总规范 | 推荐 | 本标准规定了声表面波滤波器的试验方法和通用要求。 | GB/T 27700.1-2011 | IDT IEC 60862-1:2015 |
| 58. | 20181786-T-339 | 有质量评定的石英晶体振荡器 第4-1部分：空白详细规范能力批准 | 推荐 | 本标准规定了石英晶体振荡器的开发设计、技术性能指标、材料及元器件要求、生产工艺及过程控制等质量能力批准的要求及方法。 | | IDT IEC 60679-4-1: 1998 |
| 59. | 20181784-T-339 | 有质量评定的压电滤波器 第4-1部分：空白详细规范 能力批准 | 推荐 | 本标准规定了压电滤波器产品的开发设计、技术性能指标、材料及元器件要求、生产工艺及过程控制等质量能力批准的要求及方法。 | | IDT IEC 60368-4-1:2000 |
| 60. | 20181790-T-339 | 有质量评定的压电滤波器 第4部分：分规范 能力批准 | 推荐 | 本标准规定了压电滤波器的优先额定值和特性以及试验和测量方法，并给出了在压电滤波器详细规范中采用的通用性能要求。 | | IDT IEC 60368-4:2000 |
| 61. | 20182027-T-339 | 触摸和交互显示第12-20部分：触摸显示测试方法―多点触摸性能 | 推荐 | 本标准规定了触摸传感器模组的多点触摸性能的标准测试条件和测试方法，适用于触摸传感器模组多点触摸性能评价。 | | IDT IEC 62908-12-20:2019 |
| 62. | 20171712-T-339 | 触摸和交互显示 第12-10部分：触摸显示测试方法-触摸和电性能 | 推荐 | 本标准规定了触摸传感器模组触摸性能的标准测试条件和测试方法，适用于触摸传感器模组的触摸和电性能评价。 | | IDT IEC 62908-12-10:2017 |
| 63. | 20171707-T-339 | 激光显示器件 第1-2部分:术语及文字符号 | 推荐 | 本标准规定了激光显示器件及相关组件所优选的术语、定义和符号。 | | IDT IEC 62906-1-2:2015 |
| 64. | 20171708-T-339 | 激光显示器件 第5-2部分:散斑对比度光学测量方法 | 推荐 | 本标准规定了激光显示器件(LDDs)单色散斑对比度的标准测量条件和测量方法。 | | IDT IEC 62906-5-2:2016 |
| 65. | 20182026-T-339 | 曲面有机发光二极管(OLED)光源光学性能测试方法 | 推荐 | 本文件描述了显示用曲面有机发光二极管(OLED)光源的光学性能测试方法。
本文件适用于围绕一轴弯曲的曲面光源的光学性能测试。 | | |
| 66. | 20180212-T-339 | 表面安装技术 第3部分：规范通孔回流焊用元器件的标准方法 | 推荐 | 本文件提供了通孔回流焊用电子元器件的一般要求、工艺条件和相关测试条件。
本文件适用于用于通孔回流焊工艺的带引线元器件和表面安装元器件的规范编制。 | | MOD IEC 61760-3:2010 |
| 67. | 20180211-T-339 | 电子组装件焊接的返工、改装和返修工艺要求 | 推荐 | 本文件规定了适用于电子组装件焊接的返工、改装和返修的内容和工艺要求。
本文件适用于将元器件与印制板和最终产品相关部件连接的电子组装件焊接制造过程中的返工、改装和返修，也适用于混合安装技术产品组装中的相关作业活动。 | | |
| 68. | 20180210-T-339 | 印制板及印制板组装件的平整度控制要求 | 推荐 | 本文件规定了印制板与印制板组装件平整度控制的要求。本文件适用于刚性印制板与刚性印制板组装件设计、制造与使用中平整度的控制。 | | |
| 69. | 20200765-T-339 | 电子设备用电位器 第5部分：分规范 单圈旋转式低功率线绕和非线绕电位器 | 推荐 | 该标准适用于额定功耗不超过10W的单圈旋转式低功率线绕和非线绕电位器，这些电位器主要用于电子设备中。该标准规定了电位器的优先额定值和特性，并从IEC 60393-1:2008《电子设备用电位器 第1部分：总规范》中选择适用的质量评定程序、试验和测量方法，并给出此类电位器的一般性能要求。 | GB/T 16515-1996 | IDT IEC 60395-5:2015 |
| 70. | 20184237-T-339 | 软磁材料制成的磁心测量方法第2部分：低励磁水平下的磁特性 | 推荐 | 该标准主要规定低励磁水平下工作的磁心的磁性能和电性能测量方法的规范导则。主要技术内容包括磁导率测量方法通则、低磁通密度下的损耗测量通则、电感测量、低磁通密度下的损耗测量、总谐波失真、标称阻抗、并联电导和插入损耗的测量等。 | 部分代替 GB/T 9632.1-2002 | MOD IEC 62044-2:2005 |
| 71. | 20184239-T-339 | 软磁材料制成的磁心测量方法第3部分：高励磁水平下的磁特性 | 推荐 | 该标准规定了高励磁水平下工作的电感器、扼流圈、变压器和其他有功率要求的电子器件等用的闭路磁心的功耗和振幅磁导率的测量方法。 | 部分代替 GB/T 9632.1-2002 | IDT IEC 62044-3:2000 |
| 72. | 20184238-T-339 | 高频感性元件电特性及其测量方法 第2部分：DC-DC变换器用电感器额定电流 | 推荐 | 该标准规定了小型电感器的直流额定电流测量方法。 | | IDT IEC 62024-2:2020 |
| 73. | 20173824-T-469 | 区块链和分布式记账技术 参考架构 | 推荐 | 本文件给出了区块链参考架构，规定了区块链参考架构涉及的用户视图、功能视图。本文件适用于计划使用区块链和分布式记账技术的组织建设区块链系统；指导使用区块链和分布式记账技术的服务提供组织提供区块链服务；计划使用区块链和分布式记账技术的组织选择和使用区块链服务。 | | |
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